成功大學電子學位論文服務 Web counseling 學科別分類 中文摘要 本研究主要針對三種輔導媒介(面談輔導、網路輔導及第二人生輔導)探討四大主題。 在「輔導媒介之功能特質差異情形」主題中，乃探討三種輔導媒介於九項功能特質(當事人匿名性、當事人呈現性、助人者選擇性、雙方互動性、時間的便利性、空間的便利性、輔導環境隱密性、輔導環境多樣性與輔導媒材多樣性)之差異情形。 在「輔導議題之合適媒介差異情形」主題中，乃探討大學生於常見之七種輔導議題中(生涯議題、感情議題、學習困擾、人際困擾、經濟議題、家庭問題及性別認同議題)的輔導媒介選擇差異情形。 在「大學生之輔導媒介偏好與潛能選擇」主題中，乃探討大學生對於不同輔導媒介的偏好選擇與其對於不同輔導媒介之潛能看法。 最後，在「第二人生輔導使用選擇」主題中，乃探討在第二人生中，輔導室風格選擇、助人者選擇與當事人外貌裝扮之重要性，及面臨兩大輔導議題(生涯議題、感情議題)下的選擇情形，並探討參與者於第二人生之性別角色選擇情形。 我們也探討Janus(金/PSMA)奈米顆粒的反應機制，發現金奈米粒子具有催化誘導氧化還原反應的進行，促進金/高分子Janus奈米顆粒的形成。 我們也利用製備出來的材料Janus(金/PSMA)的奈米顆粒，在PSMA球上嫁接上葉酸分子以及利用金奈米粒子的光學活性，同時作為標定癌細胞以及光學診斷的探針應用。 最後，在當事人外貌裝扮上，超過60％的參與者認為當事人外貌裝扮有其重要性。 其中，就符合場合需求、展現個人美感及反映個人心情等三向度上有議題間的顯著改變；而就在意他人眼光、反映內在性格、表達欲呈現的外顯我及增強個人信心等四個考量層面上則無議題間的顯著改變。 最後，就第二人生之性別角色選擇而言，欲於系統中選擇與現實世界相同性別者顯著高於期望比例，選擇不同性別者顯著低於期望比例，性別選擇尚不一定者則與期望比例沒有顯著差異，故參與者於第二人生之性別角色選擇仍偏向與現實生活無異。 第二階段，因藍寶石基板與氮化鎵磊晶層間折射率差異過大，導致出光效率不佳，故當於藍寶石基板與氮化鎵磊晶層間加入另一介質，應會提高整體發光效率，因此，在本次開發研究中我們選擇SiO2作為介質，利用第一階段的蝕刻經驗來協助進行二氧化矽圖案畫藍寶石基板製程的開發。 29.周逸衡、巫喜瑞（2003），台灣地區休閒農場遊客旅遊動機、資料搜尋與選擇評估準則之研究，觀光研究學報，9，1-23。 28.周儒、蔡慧敏、王喜青，探索國家公園解說員環境教育與環境解說專業成長需求與課程架構，2009陽明山國家公園建構新世代解說策略與願景研討會論文集，1-29。 49.劉千慈（1989），「陽明山國家公園解說效果之研究－以金包里大路為例」，文化大學景觀學系研究所碩士論文。 32.陳凱莉（2006），「本土偶像劇對遊客之觀光地意象、用心體驗與旅遊意願之影響」，南華大學旅遊事業管理研究所碩士論文。 seo 14.呂長賜（2006），「集集地區遊客旅遊動機、滿意度與重遊意願之研究」，南華大學旅遊事業管理研究所碩士論文。 圖4-4 分析交流阻抗圖譜假設之等效電路圖。 楊宏宇、梁文傑，1992：台灣地區空氣品質與天氣類型分類相關性分析，第九屆空氣污染控制技術研討會論文專輯。 22.符宏仁《古蹟歷史建築修復或再利用建築消防法系適法問題之研究》，中國科技大學建築研究所碩士論文，2009。 13.張瑞心《傳統聚落保存與觀光遊憩衝突之研究－以金門縣瓊林村為例》，銘傳大學觀光研究所在職專班碩士論文，2008。 在奈米柱/P2VP複合材料的研究中，未加磁場時，奈米柱主要是以反向的平行排列為主，而其平行排列的結構則受到奈米柱長度、粒子添加量、P2VP分子量的影響。 長度為20 nm之奈米柱在低粒子添加量下，為零散分佈P2VP中，在高粒子添加量下呈平行排列，而P2VP分子量的提高也會使平行排列現象較明顯。 外加磁場時，由於磁性奈米柱與磁場之間的作用力，使奈米柱平行於磁場方向，呈一鏈狀排列，而磁場強度的提高使奈米柱的方向性越明顯，部份的鏈狀排列甚而進一步形成網狀結構。 本論文使用TSMC 0.35um 2P4M 3.3V/5V混合訊號互補式金氧半導體製程製作。 晶片面積為0.996 x 1.272 mm2，充電電路設計規格輸入電壓為5V±10%、輸出電壓範圍為1.2V至4.5V、操作頻率為150kHz至2.3MHz，輕載效率改善達13.97%。 台灣精神健康與心理治療2003聯合年會。 王智弘 (2000，11月)。 網際網路對助人專業帶來的契機與挑戰。 2000諮商專業發展學術研討會，台北市。 王雪貞、林翠湄、連廷嘉、黃俊豪(譯) 。 Shaffer著。 鋁/矽介面存在原生氧化層時，鋁誘發退火應力(σan)需達臨界壓應力-380 MPa才能誘發a-Si形成結晶矽，由TEM分析也發現原生氧化層已造成μc-Al往a-Si擴散的阻障層。 去除原生氧化層後也有助於結晶鋁提供a-Si在低溫、短時間結晶化，提升載子遷移率並降低鋁誘發退火熱應力(σan)臨界應力僅需達-295 MPa。 Electronic construction.